LMG3422R030RQZT 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
產(chǎn)品型號：LMG3422R030RQZT
產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器
產(chǎn)品封裝：VQFN (RQZ)
產(chǎn)品功能：具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
LMG3422R030RQZT 特性
●符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
●帶集成柵極驅(qū)動器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
2.2MHz 開關(guān)頻率
30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
●強(qiáng)大的保護(hù)
響應(yīng)時間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
●高級電源管理
數(shù)字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗
LMG3422R030RQZT 說明
LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計人員在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150 V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。 LMG3425R030 包含理想二極管模式，該模式通過啟用自適應(yīng)死區(qū)時間控制功能來降低第三象限損耗。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。
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