LM74801QDRRRQ1 用于驅(qū)動(dòng)背對(duì)背 NFET 的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器
產(chǎn)品型號(hào)：LM74801QDRRRQ1
產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器
產(chǎn)品封裝：WSON12
產(chǎn)品功能：用于驅(qū)動(dòng)背對(duì)背 NFET 的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器
LM74801QDRRRQ1 特性
●符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 器件溫度等級(jí) 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
●3V 至 65V 輸入范圍
●反向輸入保護(hù)低至 –65V
●在共漏極和共源極配置下，可驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
●10.5mV 陽(yáng)極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下，理想二極管正常運(yùn)行 (LM74800-Q1)
●低反向檢測(cè)閾值 (–4.5mV)，能夠快速響應(yīng) (0.5µs)
●20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
●2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
●可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
●2.87µA 低關(guān)斷電流（EN/UVLO = 低電平）
●采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
●采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM74801QDRRRQ1 說明
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個(gè) MOSFET 的情況下，該器件允許負(fù)載斷開（開/關(guān)控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能。LM7480-Q1 有兩種型號(hào)：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷功能，而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個(gè)理想二極管將中點(diǎn)用于 OR-ing 設(shè)計(jì)。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓?fù)渲袨槠骷渲猛獠?MOSFET，可以保護(hù)負(fù)載免受過壓瞬態(tài)（例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負(fù)載突降）的影響。
封裝圖
公眾號(hào)/視頻號(hào)
更多產(chǎn)品詳情信息請(qǐng)聯(lián)系本公司
電話:+86-0755-83681378
聯(lián)系QQ：800007218
藍(lán)信商城 : http://www.lanxinwgsc.cn/products.php?CateId=1
公司官網(wǎng) : http://www.artsofmetaverse.com/index.php
