漏極電流, Id 最大值:280mA
電壓, Vds 最大:60V
開態(tài)電阻, Rds(on):5ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:2.1V
功耗:0.2W
工作溫度范圍:-55to 150
封裝類型:SOT-23
針腳數(shù):3
SVHC(溫度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD標(biāo)號:702
功率, Pd:0.2W
外寬:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部長度/高度:1.12mm
封裝類型:SOT-23
帶子寬度:8mm
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:60V
電流, Id 連續(xù):0.115A
電流, Idm 脈沖:0.8A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.1V
閾值電壓, Vgs th 最高:2.5V
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
英文描述：200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝：SOT-23, 3 PIN
