■產(chǎn)品名稱：IRFM120A
■功能名稱：高級功率MOSFET
■概要：
是基于先進的平面條紋和DMOS技術(shù)的高壓MOSFET系列。這種先進的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的導通電阻，還提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。此外，內(nèi)部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV HBM的浪涌應力。該器件系列適用于功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）TV電源、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器等開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應用。
■特征：
●加固柵極氧化物技術(shù)
●更低的輸入電容
●改進的柵極電荷
●擴展的安全工作區(qū)域
●更低的泄漏電流：10μA（最大值）@V-DS=100V
●更低R-DS（ON）：0.155Ω（典型值）
