是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，采用低漏電 P 溝道 MOSFET 實現(xiàn)最小的功率損耗。高級柵極控制設(shè)計支持低至 1V 的工作電壓，且增加超小的導(dǎo)通電阻和功率損耗。

多個時序選項可支持各種系統(tǒng)負(fù)載條件。對于高容性負(fù)載，C 版本的慢速導(dǎo)通時序可更大限度減小浪涌電流。而在低容性負(fù)載中，B 版本的快速時序可減少所需的等待時間。

開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，此輸入可與低壓控制信號直接連接。此器件同時提供高電平有效和低電平有效 (L) 版本。首次加電時，此器件使用智能下拉電阻來保持 ON 引腳不懸空，直到系統(tǒng)時序控制完成。ON 引腳故意驅(qū)動為高電平 (≥VIH) 后，便會斷開智能下拉電阻，從而防止不必要的功率損耗。

• ●輸入電壓范圍 (VIN)：1 V 至 5.5V
• ●最大持續(xù)電流 (IMAX)：2A
• ●導(dǎo)通電阻 (RON)：
  • 5V VIN = 60mΩ（典型值）、100mΩ（85°C 最大值）
  • 1.8V VIN = 100mΩ（典型值）、150mΩ（85°C 最大值）
  • 1V VIN = 200mΩ（典型值）、325mΩ（85°C 最大值）
• ●超低功耗：
  • 導(dǎo)通狀態(tài) (IQ)：0.5µA（典型值）、1µA（最大值）
  • 關(guān)閉狀態(tài) (ISD)：10nA（典型值）、100nA（最大值）
  • TPS22916BL/CL/CNL (ISD)：100nA（典型值）、300nA（最大值）
• ●ON 引腳智能下拉電阻 (RPD)：
  • ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）
  • ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）
• ●C 版本的慢時序可限制浪涌電流：
  • 5V 開通時間 (tON)：5mV/µs 時為 1400µs
  • 1.8V 開通時間 (tON)：1mV/µs 時為 3000µs
  • 1V 開通時間 (tON)：0.3mV/µs 時為 6500µs
• ●B 版本的快速時序可減少等待時間：
  • 5V 開通時間 (tON)：57mV/µs 時為 115µs
  • 1.8V 開通時間 (tON)：12mV/µs 時為 250µs
  • 1V 開通時間 (tON)：3.3mV/µs 時為 510µs
• ●常開的真反向電流阻斷 (RCB)：
  • 激活電流 (IRCB)：–500mA（典型值）
  • 反向泄漏電流 (IIN,RCB)：–300nA（最大值）