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  • 產(chǎn)品名稱：
    LMQ61460AASRJRR 工業(yè)類 3V 至 36V、6A、低噪聲同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 功能名稱：
    降壓轉(zhuǎn)換器（集成開關(guān)
  • 概要：

    ■產(chǎn)品名稱：LMQ61460AASRJRR

    ■功能名稱：1.2V 至 14V 輸入電壓、1A 負載電流、升壓直流/直流

    ■概要: 

    是一款具有集成旁路電容器的高性能 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器。借助集成的高側(cè)和低側(cè) MOSFET，可在 3.0 V 至 36 V 的寬輸入范圍內(nèi)提供高達 6 A 的輸出電流；耐受 42 V，簡化輸入浪涌保護設(shè)計。該器件實現(xiàn)了從壓降中的軟恢復(fù)，消除了輸出上的過沖。

    該器件專為最小化 EMI 而設(shè)計。該器件采用偽隨機擴頻、集成旁路電容器、可調(diào)節(jié) SW 節(jié)點上升時間、具有低開關(guān)節(jié)點振鈴的低 EMI VQFN-HR 封裝以及易于使用的優(yōu)化引腳排列。開關(guān)頻率可以在 200 kHz 和 2.2 MHz 之間同步，以避免對噪聲敏感的頻段。此外，可以選擇頻率以在低工作頻率下提高效率或在高工作頻率下縮小解決方案尺寸。

    自動模式可在輕負載下工作時實現(xiàn)頻率折返，從而實現(xiàn)僅 7 µA（典型值）的空載電流消耗和高輕負載效率。PWM 和 PFM 模式之間的無縫轉(zhuǎn)換，以及非常低的 MOSFET 導(dǎo)通電阻和外部偏置輸入，確保了整個負載范圍內(nèi)的卓越效率。

    ■特征：
    • ●針對超低 EMI 要求進行了優(yōu)化
      • Hotrod™ 封裝可最大限度地減少開關(guān)節(jié)點振鈴
      • 內(nèi)部旁路電容器降低 EMI
      • 并行輸入路徑最大限度地減少寄生電感
      • 擴頻降低峰值發(fā)射
      • 可調(diào)開關(guān)節(jié)點上升時間
    • ●專為堅固的應(yīng)用而設(shè)計
      • 支持 42V 瞬態(tài)
      • 0.4V 壓差，4A 負載（典型值）
    • ●所有負載下的高效電源轉(zhuǎn)換
      • 在 13.5V IN和 3.3V OUT時的空載電流為 7µA
      • 在 1mA、13.5V IN、5V OUT條件下 PFM 效率為 90%
      • 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻
        • R DS_ON_HS = 41 mΩ（典型值）
        • R DS_ON_LS = 21 mΩ（典型值）
    • ●用于提高效率的外部偏置選項
    • ●引腳兼容：
  • 特征：

    • ●針對超低 EMI 要求進行了優(yōu)化 Hotrod? 封裝可最大限度地減少開關(guān)節(jié)點振鈴 內(nèi)部旁路電容器降低 EMI 并行輸入路徑最大限度地減少寄生電感 擴頻降低峰值發(fā)射 可調(diào)開關(guān)節(jié)點上升時間 ●專為堅固的應(yīng)用而設(shè)計 支持 42V 瞬態(tài) 0.4V 壓差，4A 負載（典型值） ●所有負載下的高效電源轉(zhuǎn)換 在 13.5V IN和 3.3V OUT時的空載電流為 7μA 在 1mA、13.5V IN、5V OUT條件下 PFM 效率為 90% 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻 R DS_ON_HS = 41 mΩ（典型值） R DS_ON_LS = 21 mΩ（典型值） ●用于提高效率的外部偏置選項 ●引腳兼容： LM61460（36 伏，6 安）
  • 技術(shù)資料下載：