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  • 產(chǎn)品名稱:
    IKW40N120H3 采用反并聯(lián)二極管
  • 功能名稱:
    采用反并聯(lián)二極管
  • 概要:

    ■產(chǎn)品名稱:IKW40N120H3
     
    ■功能名稱:1200V 40A IGBT,采用反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝
     
    ■概要:
    高速 1200 V、40 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP™ IGBT4,采用TO-247封裝的續(xù)流二極管裝,提供開關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間的折中方案。此產(chǎn)品系列的主要特征是類似 MOSFET 的關(guān)斷開關(guān)行為,實(shí)現(xiàn)了低關(guān)斷損耗。
     
     
    ■特征:
    ●專門設(shè)計(jì)用于替代在開關(guān)頻率低于70kHz的應(yīng)用中的平面式 MOSFET。
    ●高效率,低開關(guān)損耗
    ●借助英飛凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技術(shù),實(shí)現(xiàn)了出色的 VCEsat 行為。
    ●快速開關(guān)行為,低電磁干擾輻射
    ●針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管,意味著進(jìn)一步改善開關(guān)損耗
    ●在保持出色的開關(guān)行為的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)低柵極電荷選擇(低至 5Ω)
    ●短路容量
    ●提供最高175°C的 Tj
    ●可帶或可不帶續(xù)流二極管的封裝,增加了設(shè)計(jì)自由度。
     
     
     
     
  • 特征:

    • IKW40N120H3 高速 1200 V、40 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP? IGBT4,采用TO-247封裝的續(xù)流二極管裝,提供開關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間的折中方案。此產(chǎn)品系列的主要特征是類似 MOSFET 的關(guān)斷開關(guān)行為,實(shí)現(xiàn)了低關(guān)斷損耗。
  • 技術(shù)資料下載: