■產(chǎn)品名稱：MMSZ5250BT1G
■功能名稱：離散和功率模塊
■概要:
利用新的場停止IGBT技術(shù),在半導體的新系列場停止2上 元素元素 在低導電和開關(guān)損耗至關(guān)重要的場合下,發(fā)電機的IGBT為太陽能逆變器、UPS、焊機、感應加熱、電信、ESS和PFC應用提供了最佳性能。
■特征：
●最高連接溫度:t J =175 °C
●為方便并行操作而提高了積極的溫度共效率
●高電流能力
●低飽和電壓:V 行政長官(沙特) =1.9V(Typ.) @ I C = 40A
●快速轉(zhuǎn)換:E 離開 =6.5uJ/A
●收緊參數(shù)分布
●順從的
